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碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
碳化硅襯底檢測(cè),碳化硅成像檢測(cè),碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)：最高檢測(cè)速度：＜17min/片（6“）；BPD、TSD、TED分類識(shí)別。
SiC晶圓質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
碳化硅成像檢測(cè),SiC晶圓質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng)：晶圓襯底質(zhì)量（載流子壽命）高速成像，快速篩查外延片晶格質(zhì)量。
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池綜合性檢測(cè)分析系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池綜合性檢測(cè)分析系統(tǒng)檢測(cè)時(shí)間＜10 min（10cm*10cm） 空間分辨率20 μm/100μm。
MICRO LED晶圓級(jí)綜合檢測(cè)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MICRO LED晶圓級(jí)綜合檢測(cè)系統(tǒng)明場(chǎng)/PL檢測(cè)類型：明場(chǎng)缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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